Память ЭВМ — функциональная часть ЭВМ, предназначенная для записи, хранения и выдачи данных. В соответствии с этим различают три режима работы памяти:
- хранения;
- записи;
- считывания.
Запоминающее устройство — устройство, реализующее функцию памяти данных. В ЗУ хранятся числа, над которыми должны быть произведены определенные действия, и числа — коды команд, определяющие характер этих действий. Запись в ЗУ или считывание из него информации иначе называют обращением к ЗУ. Важнейшими характеристиками памяти (запоминающих устройств) ЭВМ являются ее емкость и быстродействие.
Емкость памяти определяет количество слов, которые могут храниться в памяти, и выражается в битах или байтах. Например» если память ЭВМ составляет 64 К байт, это означает, что она может хранить 64×1024 восьмиразрядных слов (К=1024). В настоящее время выпускаются БИС ОЗУ с емкостью в 256, 1024, 4096, 16 К бит.
Быстродействие памяти (ЗУ) определяется продолжительностью операции обращения к ЗУ. Время обращения t0 при записи информации складывается из времен поиска числа tп стирания ранее записанной информации tст (при необходимости) и записи нового числа tзп т.е. t0=tп+tст+tзп. При считывании информации время цикла обращения складывается из времен поиска tп , считывания tвосст и восстановления t считанных кодов (при необходимости), t0=tп+tсч+tвосст.
Запоминающие устройства разделяют: по использованию — на внешние и внутренние (или оперативные); по назначению — сверхоперативные, оперативные, постоянные, буферные и внешние; пофизическим принципам действия — на магнитные и полупроводниковые; по способу хранения информации — на статические и динамические; по способу доступа к заданной ячейке (для адресных ЗУ) — с последовательным, циклическим и произвольным доступом; по характеру обращения — с адресным обращением (или адресной выборкой) и с ассоциативным обращением (ассоциативной выборкой).
В статических ЗУ цифровой код остается неподвижным относительно носителя информации в течение всего времени хранения информации; в динамических ЗУ цифровые коды находятся в непрерывном движении относительно носителя информации.
В ЗУ с адресным обращением поиск необходимой информации производится по адресу — номеру запоминающей ячейки, в которую во время записи была помещена эта информация.
В статических ЗУ адрес ячейки определяется ее местоположением в пространстве.
В ЗУ с ассоциативным обращением (в ассоциативных ЗУ) выборка информации происходит не по адресу, а по некоторому признаку, содержащемуся в самом хранимом слове, т. е. по содержанию.
В ЗУ с последовательным доступом осуществляется последовательное обращение к ячейкам до тех пор, пока не произойдет обращение к заданной ячейке. Примером такого ЗУ может служить накопитель на магнитной ленте (НМЛ). Здесь зона с нужной информацией находится путем последовательного просмотра номеров зон при перемотке ленты.
В ЗУ с циклическим доступом информация из заданной ячейки считывается только в определенные моменты, разделенные интервалом времени. Интервал времени между считыванием двух слов называется циклом работы такого ЗУ.
В ЗУ с произвольным доступом информация записывается и считывается по любому адресу. В этих ЗУ время обращения к требуемой ячейке не зависит от того, к какой именно ячейке обращаются, а зависит от быстродействия коммутационных схем, обеспечивающих выбор заданной ячейки. Запоминающие устройства с произвольным доступом наиболее быстродействующие.
Для получения в ЭВМ одновременно большой информационной емкости и высокого быстродействия используется иерархический принцип построения ЗУ.
Техническая реализация иерархических структур обеспечивает большую емкость памяти и малое время обращеных и программ текущих вычислений, а также программ, к которым следует быстро перейти, если в ходе вычислительного процесса возникло прерывание. Оперативные ЗУ современных ЭВМ имеют емкость от нескольких тысяч до сотен тысяч слов и период обращения от долей до нескольких микросекунд. Оперативное ЗУ может быть связано с процессором как непосредственными связями, так и через СОЗУ.
В качестве элементов памяти ОЗУ и СОЗУ используются ферритовые сердечники, полупроводниковые элементы, тонкие магнитные пленки и др.
Внешние ЗУ (ВЗУ). Они предназначены для хранения больших массивов информации. Объем данных, которые могут одновременно храниться в таких ЗУ, обычно превышает сотни миллионов слов, однако период обращения к ним составляет от нескольких миллисекунд до нескольких десятков секунд. Данные, хранящиеся во внешних ЗУ, непосредственно не используются в вычислительном процессе, а передаются из ВЗУ в ОЗУ. В качестве внешних ЗУ чаще всего используют накопители информации на магнитных лентах (НМЛ) и дисках (НМД).
Буферные ЗУ (БЗУ). Эти ЗУ используются для промежуточного хранения данных при обмене между устройствами с разным быстродействием, например между ОЗУ и ВЗУ. По емкости и быстродействию БЗУ занимают промежуточное место между ОЗУ и ВЗУ; они могут быть построены на полупроводниковых элементах, ферритовых сердечниках и магнитных дисках.
Постоянные (односторонние) ЗУ (ПЗУ). Такие ЗУ предназначены только для хранения и считывания информации, которая не изменяется в процессе вычислений (например, постоянно используемые программы, различные константы, таблицы функций, микропрограммы и т. д.), В ПЗУ информация записывается один раз при изготовлении, а при работе только считывается. Такие ПЗУ имеют меньшую аппаратную сложность, чем ОЗУ.
На рис. 1 (а) приведена обобщенная схема иерархии запоминающих устройств ЭВМ. В конкретных условиях набор ступеней иерархии, а также количество блоков ОЗУ, ВЗУ, ПЗУ может быть различным. На уровне I иерархии используются сравнительно небольшие, но быстродействующие СОЗУ, тесно связанные с процессором Пр. К ЗУ уровня 2 относятся ЗУ с произвольной выборкой, обладающие большей емкостью, чем ЗУ уровня 1, но имеющие более низкое быстродействие. К уровню 3 иерархии относятся ВЗУ с плавающим временем выборки, низким быстродействием, но с большой емкостью (НМД, НМЛ и т. д.).
Запоминающее устройство содержит следующие узлы, блоки и элементы (рис. 1 (б)). Накопитель информации НИ— часть ЗУ, в которой происходит запись и хранение слов и из которой при необходимости можно считать записанное ранее слово, содержит ячейки памяти (ЯП), каждая из которых может хранить часть слова, слово или несколько слов. Ячейка состоит из запоминающих элементов (ЗЭ), каждый из которых предназначен для хранения одного бита двоичной информации. Как правило, количество ЗЭ в ЯП равно разрядности хранимого слова. Запоминающий элемент может быть выполнен на ферритовых сердечниках, тонких магнитных пленках и на полупроводниковых элементах. Блок коммутации БК Расшифровывает код адреса, устанавливает адрес заданного слова в НИ и вырабатывает сигналы требуемой мощности, необходимые Для работы выбранной ЯП. Блок записи БЗп преобразует машинное слово в сигналы, воздействующие на носитель информации при записи. Блок считывания БСч преобразует изменения параметров ЗЭ в процессе считывания в машинное слово. Блок управления БУ управляет в определенной временной последовательности всем блоками ЗУ. Регистр адреса РгА принимает и хранит адрес к которой производится обращение. Регистр слова РгСл принимает и хранит принятое слово, которое поступает либо из НИ, либо магистрали слов от других устройств ЭВМ. Связь ЗУ с другими устройствами ЭВМ осуществляется при помощи магистралей слов адресов и управления.
При обращении к ЗУ по магистрали управления в БУ поступают управляющие сигналы, определяющие режимы работы ЗУ. При этом по магистрали адресов МА в регистр РгА поступает адрес одной ЯП или группы ЯП и, если необходимо, по магистрали слов МСл в регистр РгСл — одно слово (или группа слов) для записи в НИ. Блок управления БУ выдает определенную последовательность импульсов, управляющих работой всех узлов ЗУ. Код адреса заносится в регистр РгА, дешифрируется в Б К. В последнем устанавливается адрес заданного слова и формируются управляющие импульсы соответствующей мощности для считывания и записи информации выбранной ЯП.
При считывании информации параметры элементов памяти выбранной ячейки под действием импульсов считывания изменяются и преобразуются в блоке считывания БСч в машинное слово, которое поступает в регистр РгСл, а с него—в магистраль слов. При использовании для ЗЭ ферритовых сердечников с прямоугольной петлей гистерезиса считывание приводит к разрушению хранящейся в ЯП информации. В этом случае после каждого считывания информация из регистра РгСл должна поступать в блок БЗп для записи ее в ту же ЯП. Этот процесс называют восстановлением или регенерацией. Блок БЗп преобразует машинное слово, поступающее из регистра РгСл, в сигналы, воздействующие на носитель информации, изменяя согласно записываемому коду параметры соответствующих ЗЭ. Хранение записанной информации в НИ основывается на способности ЗЭ устойчиво сохранять параметры заданных физических состояний, которое при считывании может быть выделено блоком БСч.