Плоский воздушный конденсатор с расстоянием между обкладками 2,00 см заряжен до напряжения 1000 В и отключен от источника энергии. За какое время разрядится конденсатор, если в каждом кубическом сантиметре воздуха между обкладками конденсатора ионизатор образует 2,00*108 пар одновалентных ионов в секунду? Считать, что все ионы достигают обкладок конденсатора. Каким стал бы ток насыщения, если при неизменном ионизаторе конденсатор подключить к источнику постоянного напряжения? Как зависит ток насыщения от величины напряжения на конденсаторе? Площадь каждой обкладки 50,0 см2.
Дано: d=2,00 см—2,00 10-2 м — расстояние между обкладками конденсатора, S=50,0 см2 = 5,00*10 -3 м2 — площадь каждой обкладки конденсатора, ɛ0=8,85*10-12 Ф/м — электрическая постоянная, ɛ=1 — относительная диэлектрическая проницаемость воздуха, U=1000 В=1,00*103 В — напряжение на конденсаторе, nо=2,00*108 см-3*с-1=2,00*1014 м-3*с-1 — число пар одновалентных ионов, образующихся в каждом кубическом метре воздуха за секунду, e=1,602*10-19 Кл — заряд одновалентного иона.
Найти: 1) t — время, за которое разрядится конденсатор; 2) Iн — ток насыщения при подключении конденсатора к источнику; 3) зависимость тока насыщения от напряжения.
Решение. 1) Время разрядки конденсатора t найдем, зная заряд q конденсатора и суммарный заряд ионов одного знака qt образовавшихся в пространстве между обкладками конденсатора под действием ионизатора за одну секунду:
t = q/qt
Для определения заряда q воспользуемся формулами C=q/U и C=ɛ0ɛS/d , откуда:
Заряд ионов одного знака qt, образовавшихся за одну секунду, определяем по формуле qt=n1e, где nt — число пар ионов, образовавшихся между обкладками конденсатора за секунду. Если объем диэлектрика между обкладками конденсатора V выразить через площадь обкладки и толщину слоя диэлектрика: V=Sd, то:
Подставив в формулу t=q/qt найденные значения q и qt, получаем:
Мы видим, что время разрядки конденсатора не зависит от площади его обкладок. Окончательно время разрядки конденсатора:
Малое время разрядки обусловлено тем, что мы не учитывали рекомбинацию ионов.
2) Ток насыщения находим по формуле:
где q макс — максимальный заряд, достигающий обкладок конденсатора: qмакс= ntet =n0Sdet; t — время, за которое этот заряд достигает обкладок (проходит по цепи). Тогда:
Ток насыщения, как видно из формулы, численно равен заряду, ионов одного знака, образующемуся под действием ионизатора между обкладками конденсатора в единицу времени. Вычисляем ток насыщения Iн:
3) Анализ полученной для тока насыщения формулы показывает, что ток насыщения не зависит от напряжения и, следовательно, не подчиняется закону Ома. Ток насыщения определяется лишь интенсивностью ионизатора и объемом межэлектродного пространства.
Ответ. 1) Время разрядки конденсатора 6,91 10-1 с. 2) Ток насыщения 3,204 10-9 А. 3) Ток насыщения не зависит от напряжения.
Если основа оригинала (карты пли плана) прозрачна, то копию можно снять при помощи стола со…
Определение координат точки. Пусть точка А (рис. 32) находится в квадрате, абсциссы и ординаты вершин…
Рельефом местности называется совокупность неровностей физической поверхности земли. В зависимости от характера рельефа местность делят…
Для обозначения на планах и картах различных предметов местности, применяются специально разработанные условные знаки. Для обличения…
В инженерной геодезии чаще всего пользуются топографическими картами. Их составляют в масштабах 1:10000, 1:25000, 1:50000…